主要内容：由于禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等优异材料特性，氮化镓（GaN）被誉为是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）后的第三代半导体材料，是目前全球半导体材料和电子器件的研究热点之一。InAlN/GaN 异质结构作为GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）毫米波应用的重要结构之一，在栅长缩短过程中，直流特性会遭受短沟道效应的恶化，严重影响了器件的可靠性。该报告就GaN HEMT直流特性的短沟道效应及其起源，进行汇报。

报告时间：2021年3月31日上午10：30

报告地点：教8-307

主办单位：电子与控制工程学院、科技处

面向对象：电子与控制工程学院教师、学生及其他感兴趣的教职员工、学生。

报 告 人：韩铁成，工学博士，电子与控制工程学院教师。博士毕业于河北工业大学，从事Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体HEMT器件仿真，HEMT器件短沟道效应以及背势垒技术的研究。参与国家和省级纵向项目2项，学校课题1项，已在国内外重要期刊发表学术期刊论文7篇。